江苏华飞合金材料科技有限公司精细线的核心制造工艺

1. 光刻与蚀刻技术

PCB/HDI 板：

半加成法（SAP）：通过光阻曝光定义线路图形，再电镀铜形成精细线，线宽精度 ±5μm，适用于 20-50μm 线宽。

激光直接成像（LDI）：替代传统掩膜曝光，分辨率达 20μm 以下，常用于高 端 HDI 板（如苹果 A17 芯片载板）。

半导体封装：

紫外光刻（UV Lithography）：利用 193nm ArF 激光，配合干法 / 湿法蚀刻，实现 10μm 以下线宽（如 FC-BGA 基板）。

2. 增材制造（3D 打印）

喷墨打印：将银纳 米墨水直接喷射到基板上，形成 10-30μm 线宽，适用于柔性电子（如三星折叠屏电路）。

纳 米压印（NIL）：通过模具压印将金属浆料转移至基板，线宽可达 5μm，成本比光刻低 30%。

3. 沉积与电镀技术

物理 气相沉积（PVD）：磁控溅射铜 / 铝薄膜，再蚀刻形成精细线，适用于超薄柔性基板（厚度 < 50μm）。

电化学沉积（ECD）：在催化基板上选择性电镀铜，线宽均匀性 ±2μm，常见于半导体引线框架。